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理学院在低维纳米光电子领域相继发表高水平论文
[ 作者:理学院 来源:理学院 浏览:609 录入时间:发布时间(2022年02月11日 ]


   近日,理学院王英英副教授、青年教师郭帅指导的物理学专业2021级研究生李中林同学以第一作者的身份,在国际期刊《Advanced Materials Interfaces》发表论文“Boosting Enhancement of the Electron–Phonon Coupling in Mixed Dimensional CdS/Graphene van der Waals Heterojunction”。该期刊最新影响因子为6.147。《Advanced Materials Interfaces》是德国John Wiley出版社关于物理、化学、材料科学和生命科学的权威杂志,主要报道表面与界面领域的各种前沿基础研究及应用技术。


本论文构建了一维CdS纳米线/二维石墨烯混合维度范德华异质结构,并系统地研究了它们的电子-声子耦合。基于原位拉曼光谱,在异质结区域的2LO/1LO平均强度比为1.2,远高于单纯的CdS纳米线。结合激子复合的动力学过程分析和光波导特性表征,证明了由CdS和石墨烯之间的费米能级差引起的内建电场导致了强烈的电子-声子耦合。由偏振拉曼光谱测得的角度相关电子-声子耦合结果表明,当入射激光偏振方向平行于CdS纳米线c轴时,I2LO/I1LO的最大比值为8.95,该值远高于之前报告的结果。本项目的发现使混合维度范德华异质结构成为新型光、电、磁等器件的最佳候选材料。在此研究中德国杜伊斯堡-埃森大学Dieter教授,北京理工大学刘瑞斌教授给予了重要的指导与帮助。国家重点研发计划、国家自然科学基金青年基金、山东省自然科学基金给予了本论文资金支持。

此外,青年教师郭帅联合北京理工大学刘瑞斌教授,成功构建了基于多叠层WSe2/graphene/h-BN/MoS2的自驱动光电探测器,通过与普通的p-n结自驱动光电探测器相比,证明基于载流子的隧穿效应,可大幅提高器件性能,使自驱动光电探测器的明暗电流比达到1.2 × 105,光电响应度达到3.6 A/W。从而为构建高性能自驱动光电探测器提供了新的思路。其对应的论文“Toward High-Performance Self-Driven Photodetectors via Multistacking Van der Waals Heterostructures”被美国化学学会期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》接收并报道,期刊影响因子:9.229。美国加州大学洛杉矶分校的段镶锋教授对论文给予了重要的改进意见。



    理学院青年教师郭帅毕业于北京理工大学物理学院,主要从事半导体材料的制备及光电器件方面的研究。2019年加入哈尔滨工业大学(威海)以来,一直注重自身能力的提高,积极寻求科研上的延续。获得多项资金资助,论文相继在《ACS Applied Materials & Interfaces》,《The Journal of Physical Chemistry C》,《Journal of Alloys and Compounds》等国际知名杂志发表。

    理学院秉承哈工大规格严格、功夫到家的优良传统,以教学为中心,把提高教学质量视为生命线,在教学内容、教学方法和教学理念上不断改革,注重吸收国内外先进的教学理念,突出学生的实践能力和创新精神培养。培养出大批理论基础扎实、科研水平高、独立工作能力强的硕士、博士研究生,努力为学校的理学学科发展和基础教学工作做出更大的贡献。

文章发布员:科技发展处
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